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stm32 FlAsh

1.STM32的Flash不是NandFlash. NandFlash的位跳转比较厉害,必须加上一定的校验和备份机制才能很好地应用。 2.STM32的Flash可以用于存储代码,也可以用于存储数据。一般来说我们会将代码保存在从Flash开始的区域中,余下的部分用来保存数据(你...

stm32的flash中,页一般表示1024字节或2048或4096字节的连续数据块,是flash最小的擦除单元(但最小写入单元可能不是这么大,因为flash擦和写入是两个独立的操作),sector指的是 扇区,一般是很多个页的组合,可以一次性擦除一个扇区,或多个扇...

写入前要先解锁,写入后要上锁,写入地址要正确,写入数据量必须是双数(以字节为单位),从这几方面查找原因吧。

PC机经串口把文件过来,再由STM32用串口接收,接收到之后再写入STM32内部的Flash? 这样的话首先就是数据写入Flash问题,一般过程是:Flash解锁->Flash擦除->Flash写入->Flash上锁,这些都可以使用库函数来完成(在STM32F10x_flash.c文件里面

有两种规格,1Kb和2Kb的,也就是1024字节和2048字节,一般来说内部flash大的采用2048字节一页,内部flash小的采用1024字节一页。 你可以STM32F103系列为参考: 小容量产品主存储块1-32KB, 每页1KB。 中容量产品主存储块64-128KB, 每页1KB。 大...

EEPROM 芯片和flash的特点都是断电数据保留,可以存放不同的数据。 EEPROM芯片容量小,芯片贵,但是在写入时不需要擦除,最小可写一个字节,读写的速度比较慢,但因为写起来方便,适用于常常修改的数据。 而flash芯片容量大,但是在写入时需要擦...

你可以考虑换个容量更大的型号。如果是要放些库类数据可以考虑外扩存储器。

你检查一下代码,看看是否存在一下问题: 看看写flash前是否已经解锁flash,写完后是否完成上锁。 你写入flash的地址是否正确,不能超出flash地址范围(不同芯片范围大小是不一样的)。 写入数据是否按要求字节倍数写入?(比如STM32F10x系列的...

假如你要读取的地址是ADDRESS,赋给变量a,那么 读取8位数据(1字节)为a=*(uint8_t *)ADDRESS; 16位 a=*(uint16_t *)ADDRESS; 32位 a=*(uint32_t *)ADDRESS;

PC机经串口把文件过来,再由STM32用串口接收,接收到之后再写入STM32内部的Flash? 这样的话首先就是数据写入Flash问题,一般过程是:Flash解锁->Flash擦除->Flash写入->Flash上锁,这些都可以使用库函数来完成(在STM32F10x_flash.c文件里面,...

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